參數(shù)資料
型號： MRF1946A
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 145A-09, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 141K
代理商： MRF1946A
1
MRF1946 MRF1946A
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1994
The RF Line
. . . designed for 12.5 volt large–signal power amplifiers in commercial and
industrial equipment.
High Common Emitter Power Gain
Specified 12.5 V, 175 MHz Performance
Output Power = 30 Watts
Power Gain = 10 dB
Efficiency = 60%
Diffused Emitter Resistor Ballasting
Characterized to 220 MHz
Load Mismatch at High Line and Overdrive Conditions
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
16
Vdc
Collector–Base Voltage
36
Vdc
Emitter–Base Voltage
4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
8.0
Adc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
100
0.57
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
Tstg
TJ
–65 to +150
°
C
Junction Temperature
200
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
1.75
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 25 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
16
—
—
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 25 mAdc, VBE = 0)
V(BR)CES
36
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 5.0 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 15 Vdc, VBE = 0, TC = 25
°
C)
ICES
—
—
5.0
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
40
75
150
—
(continued)
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by MRF1946/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
30 W, 136–220 MHz
RF POWER
TRANSISTORS
NPN SILICON
CASE 211–07, STYLE 1
MRF1946
CASE 145A–09, STYLE 1
MRF1946A
REV 6
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PDF描述
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