參數(shù)資料
型號(hào)： MRF275
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： 150 W, 28 V, 500 MHz N.CHANNEL MOS BROADBAND 100 - 500 MHz RF POWER FET
中文描述： 150瓦，28五，500兆赫N.溝道MOS寬帶100 - 500 MHz射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 226K
代理商： MRF275
7
MRF275G
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 12. 400 MHz Test Circuit
B1
Balun, 50
, 0.086
″
O.D. 2
″
Long,
Semi Rigid Coax
Balun, 50
, 0.141
″
O.D. 2
″
Long,
Semi Rigid Coax
270 pF, ATC Chip Capacitor
1.0–20 pF, Trimmer Capacitor
15 pF, ATC Chip Capacitor
33 pF, ATC Chip Capacitor
B2
C1, C2, C8, C9
C3, C5, C7
C4
C6
C10, C12, C13,
C16, C17
C11
C14, C15
C18
0.01
μ
F, Ceramic Capacitor
1.0
μ
F, 50 V, Tantalum
680 pF, Feedthru Capacitor
20
μ
F, 50 V, Tantalum
L1, L2
L3, L4
#18 Wire, Hairpin Inductor
12 Turns #18, 0.340
″
I.D.,
Enameled Wire
Ferroxcube VK200 20/4B
3 Turns #16, 0.340
″
I.D.,
Enameled Wire
1.0 k
,
1/4 W Resistor
10 k
,
1/4 W Resistor
0.400
″
x 0.250
″
, Microstrip Line
0.870
″
x 0.250
″
, Microstrip Line
0.500
″
x 0.250
″
, Microstrip Line
0.060
″
Teflon–fiberglass,
L5
L6
R1
R2, R3
Z1, Z2
Z3, Z4
Z5, Z6
Board material
ε
r = 2.55, copper clad both sides, 2 oz. copper.
BIAS
C10
C11
R1
C12
C13
C14
C15
L5
L6
C18
28 V
B1
C3
C4
C5
C6
C7
B2
C2
L2
R3
L4
C16
C17
B
A
Z2
Z1
Z3
Z5
Z4
Z6
0.180
″
0.200
″
A
B
D.U.T.
R2
L3
C9
C1
L1
C8
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PDF描述
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MRF281SR1_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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