參數(shù)資料
型號： MRF275
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： 150 W, 28 V, 500 MHz N.CHANNEL MOS BROADBAND 100 - 500 MHz RF POWER FET
中文描述： 150瓦，28五，500兆赫N.溝道MOS寬帶100 - 500 MHz射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/12頁
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代理商： MRF275
MRF275G
8
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 13. 225 MHz Test Circuit
C1
C2, C3, C7, C8
C4, C9
C5
C6
8.0–60 pF, Arco 404
1000 pF, Chip Capacitor
0.1
μ
F, Chip Capacitor
180 pF, Chip Capacitor
100 pF and 130 pF,
Chips in Parallel
0.47
μ
F, Chip Capacitor, 1215 or
Equivalent, Kemet
10 Turns AWG #16, 1/4
″
I.D.,
Enamel Wire, Close Wound
Ferrite Beads of Suitable Material
for 1.5–2.0
μ
H Total Inductance
062
″
fiberglass (G10),
C10
L1
L2
Board material
ε
r
5, Two sided, 1 oz. Copper.
Unless otherwise noted, all chip capacitors
are ATC Type 100 or Equivalent.
R1
R2
T1
100
, 1/2 W
1.0 k
, 1/2 W
4:1 Impedance Ratio, RF Transformer
Can Be Made of 25
, Semi Rigid Coax,
47–52 Mils O.D.
1:9 Impedance Ratio, RF Transformer.
Can Be Made of 15–18
, Semi Rigid
Coax, 62–90 Mils O.D.
T2
NOTE: For stability, the input transformer T1 should be loaded
NOTE:
with ferrite toroids or beads to increase the common
NOTE:
mode inductance. For operation below 100 MHz. The
NOTE:
same is required for the output transformer.
BIAS 0–6 V
R1
C3
C4
R2
C1
C2
T1
C5
D.U.T.
C6
T2
C7
L1
C8
C9
L2
C10
+
–
28 V
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PDF描述
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