參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5P21240
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 782K
代理商： MRF5P21240
5
MRF5P21240R6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
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Figure 3. 2–Carrier W–CDMA Broadband Performance
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Figure 4. Two–Tone Power Gain versus
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Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
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Figure 6. Intermodulation Distortion Products
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F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5P21240R6 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5S19100HD The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19100HR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19100HSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19150 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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