參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5P21240
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 782K
代理商： MRF5P21240
7
MRF5P21240R6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
2
0
=27/
I
% 0
+,
% 0
+,
$2381
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2090
2110
2130
11.42 – j2.25
11.28 – j2.14
10.45 – j2.16
5.33 – j6.21
5.44 – j5.88
5.40 – j6.16
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
0
&
(
0 F
6&
234
0
. 5
;#34
741<9;5
4>28
91
;/8
$4
34#34
741<9;5
4>28
!
!
2150
2170
2190
11.38 – j2.14
10.73 – j0.40
11.04 – j1.25
5.12 – j6.06
4.96 – j5.25
4.98 – j4.47
%0
+,
% 0
+,
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5P21240R6 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
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MRF5S19100HSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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