型號: | MRF5S19060MBR1 |
廠商: | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
英文描述: | RF Power Field Effect Transistors |
中文描述: | 射頻功率場效應晶體管 |
文件頁數(shù): | 10/16頁 |
文件大?。?/td> | 501K |
代理商: | MRF5S19060MBR1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MRF5S19090HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
MRF5S19130HR3 | Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. |
MRF5S19130SR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
MRF5S19130R3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MRF5S19060MR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-270-4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
MRF5S19060NBR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 60W 28V TO272WB4N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF5S19060NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 60W 28V TO270WB4N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF5S19060NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
MRF5S19090HR3 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |