參數(shù)資料
型號： MRF5S19090HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 5/12頁
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代理商： MRF5S19090HR3
MRF5S19090HR3 MRF5S19090HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
6
1860
16
60
40
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance
Gp
I
50
10
20
30
40
I
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 18 W (Avg.), I
DQ
= 850 mA
2Carrier NCDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing
1.2288 MHz Channel Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
14
30
12
20
10
20
8
40
1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040 2060 2080
0
100
12
17
1
1100 mA
I
DQ
= 1300 mA
850 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Gp
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
TwoTone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing
650 mA
450 mA
10
16
15
14
13
100
55
15
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
I
I
1100 mA
1300 mA
850 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
TwoTone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing
650 mA
I
DQ
= 450 mA
10
20
25
30
35
40
45
50
10
55
25
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
I
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 90 W (PEP), I
DQ
= 850 mA
30
35
40
45
50
1
5th Order
3rd Order
42
45
56
31
P3dB = 51.21 dBm (132.13 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Po
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 850 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 1960 MHz
41
P1dB = 50.82 dBm (120.78 W)
Ideal
Actual
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
32
33
34
35
36
37
38
39
40
η
D
,
E
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
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PDF描述
MRF5S19130HR3 Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
MRF5S19130SR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130R3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF5S19090LR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
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