參數(shù)資料
型號： MRF5S19090LSR3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 420K
代理商： MRF5S19090LSR3
A
A
F
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF5S19090LR3 MRF5S19090LSR3
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
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TYPICAL CHARACTERISTICS
η
0
40
1
65
25
IM3
G
ps
ACPR
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 8. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
I
,
η
Gp
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 850 mA
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
2 x NCDMA, 2.5 MHz @ 1.2288 MHz Bandwidth
Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IM3
η
35
30
30
35
25
40
20
45
15
50
10
55
5
60
10
100
0
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 9. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
(
10
20
30
40
50
60
70
80
90
220
10
9
100
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 10. MTBF Factor versus Junction Temperature
M
2
This above graph displays calculated MTBF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTBF factor by I
D2
for MTBF in a particular application.
10
8
10
7
10
6
120
140
160
180
200
ACPR @ 30 kHz
Integrated BW
+ACPR @ 30 kHz
Integrated BW
IM3 @
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 @
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
6
1.5
4.5
3
0
1.5
3
4.5
6
7.5
7.5
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