參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S19100HR3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 726K
代理商： MRF5S19100HR3
7
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, P
out
= 22 W Avg.
Figure 11. Series Equivalent Input and Output Impedance
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
Z
o
= 10
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
f
MHz
Z
source
Z
load
1930
1960
1990
4.45 - j5.32
5.12 - j5.45
4.53 - j5.40
1.98 - j2.58
1.83 - j2.55
1.60 - j2.15
Z
load
*
Z
source
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S19100HSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19150 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19150R3 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19150SR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF840 64K SERIAL CONFIGURATION PROM
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參數(shù)描述
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MRF5S19100HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S19100HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S19130HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 28V 26W WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S19130HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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