參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S19100HSR3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 726K
代理商： MRF5S19100HSR3
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
10
MOTOROLA RF DEVICE DATA
NOTES
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S19150 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19150R3 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19150SR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF840 64K SERIAL CONFIGURATION PROM
MRF842 64K SERIAL CONFIGURATION PROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S19100HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S19130HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 28V 26W WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S19130HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19130HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 28V 26W WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S19130HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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