型號: | MRF5S19150 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | RF Power Field Effect Transistors |
中文描述: | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封裝: | NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN |
文件頁數: | 10/12頁 |
文件大小: | 617K |
代理商: | MRF5S19150 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MRF5S19150R3 | RF Power Field Effect Transistors |
MRF5S19150SR3 | RF Power Field Effect Transistors |
MRF840 | 64K SERIAL CONFIGURATION PROM |
MRF842 | 64K SERIAL CONFIGURATION PROM |
MRF847 | 64K SERIAL CONFIGURATION PROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
MRF5S19150H | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:L BAND, SI, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF5S19150HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 32W N/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF5S19150HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
MRF5S19150HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 32W N/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF5S19150HSR3 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |