參數(shù)資料
型號： MRF5S21045NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/16頁
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代理商： MRF5S21045NR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
2000
2110
2140
4.78 - j5.19
3.81 - j3.69
4.04 - j4.14
8.15 - j5.91
7.07 - j7.32
6.28 - j7.71
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 500 mA, P
out
= 10 W Avg.
Z
o
= 10
Ω
Z
load
f = 2000 MHz
f = 2200 MHz
Z
source
2170
2200
3.57 - j3.11
3.69 - j3.39
5.61 - j7.85
4.92 - j7.85
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 2000 MHz
f = 2200 MHz
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PDF描述
MRF5S21045 RF Power Field Effect Transistors
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