參數(shù)資料
型號： MRF5S21100HR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
中文描述： 將使用的AB類的PCN-PCS/cellularradio和WLL應(yīng)用。
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 378K
代理商： MRF5S21100HR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S21100HR3 MRF5S21100HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
40
1
55
15
G
ps
ACPR
IM3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. WCDMA
Figure 8. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
I
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1050 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
2x WCDMA, 10 MHz @ 3.84 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
35
20
30
25
25
30
20
35
15
40
10
45
5
50
10
η
D
η
D
,
p
,
220
10
9
100
10
8
10
7
10
6
120
140
160
180
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE ( C)
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
M
2
)
TYPICAL CHARACTERISTICS
W-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single Carrier Test Signal
P
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
110
120
70
20
80
60
50
(
90
100
40
30
3.84 MHz
Channel BW
IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
20
5
15
10
0
5
10
15
20
25
25
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PDF描述
MRF5S21100LR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21100LSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21100HSR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
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參數(shù)描述
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MRF5S21100HSR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRF5S21100LR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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