參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S21150HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
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代理商： MRF5S21150HR3
MRF5S21150HR3 MRF5S21150HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
2220
2060
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 33 Watts Avg.
I
Gp
30
10
15
20
25
I
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 33 W (Avg.), I
DQ
= 1300 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing,
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
5
13
12
11
10
9
8
7
6
44
35
30
25
20
28
32
36
40
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
100
10
14
1
I
DQ
= 1900 mA
1600 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Gp
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
700 mA
1300 mA
1000 mA
13
12
11
10
1000
1000
55
25
1
I
DQ
= 700 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
1600 mA
1300 mA
1000 mA
1900 mA
10
30
35
40
45
50
100
65
60
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
10
60
25
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
I
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 150 W (PEP), I
DQ
= 1300 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
5th Order
3rd Order
30
35
40
45
50
55
1
100
47
58
P3dB = 53.41 dBm (219.28 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Po
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1300 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 2140 MHz
56
54
52
50
48
37
39
41
Actual
Ideal
P1dB = 52.73 dBm (187.5 W)
43
45
35
η
D
,
E
I
I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9080NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9100MR1 CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014
MRF5S9100MBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NR1 CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRF5S21150R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150S 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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