參數(shù)資料
型號： MRF5S9100MR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014
中文描述： N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 442K
代理商： MRF5S9100MR1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Conditions
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1C (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°
C
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 400
μ
A)
V
GS(th)
2
2.8
3.5
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 26 Vdc, I
D
= 950 mAdc)
V
GS(Q)
—
3.7
—
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2.0 Adc)
V
DS(on)
—
0.21
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 6 Adc)
g
fs
—
7
—
S
Dynamic Characteristics
(1)
Output Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
70
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
2.2
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 20 W Avg. N-CDMA, f = 880 MHz,
Single-Carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Bandwidth @
±
750 kHz Offset. PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
Power Gain
G
ps
η
D
18
19.5
—
dB
Drain Efficiency
26
28
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-46.8
-45
dBc
Input Return Loss
IRL
—
-19
-9
dB
1. Part is internally input matched.
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