參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9101MBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/16頁(yè)
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代理商： MRF5S9101MBR1
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
1000
1
0
70
G
ps
T
C
= 30 C
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 7. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
Gp
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 700 mA
f = 940 MHz
25 C
85 C
T
C
= 30 C
25 C
85 C
100
10
60
50
40
30
20
10
13
20
19
18
17
16
15
14
980
0
3.5
900
P
out
= 50 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Error Vector Magnitude versus
Frequency
E
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 650 mA
40 W Avg.
25 W Avg.
3
2.5
2
1.5
1
0.5
910
920
930
940
950
960
970
η
D
100
0
9
1
0
60
EVM
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. Error Vector Magnitude and Drain
Efficiency versus Output Power
E
T
C
= 85 C
25 C
30 C
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 650 mA
f = 940 MHz
8
50
6
40
5
30
3
20
2
10
10
980
83
63
900
SR 400 kHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
S
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 650 mA
f = 940 MHz
68
73
78
910
920
930
940
950
960
970
P
out
= 50 W Avg.
SR 600 kHz
25 W Avg.
40 W Avg.
25 W Avg.
40 W Avg.
50 W Avg.
90
80
45
0
T
C
= 85 C
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 11. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
S
25 C
30 C
60
65
70
10
20
30
40
50
60
70
80
50
55
75
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 650 mA
f = 940 MHz
η
D
,
η
D
,
η
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6522-70R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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