型號 廠商 描述
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf5s9101nr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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2 3 4 5 6 7 8 9		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistor
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Dield Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Dield Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Dield Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf6s9045mbr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf6s9045mr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf6s9045nr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf6s9045nbr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf6s9060mr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 CAP 10PF 200V 200V X7R RAD.20 .20X.20 BULK P-MIL-PRF-39014
mrf6s9060
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf6s9060mbr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 RF Power Field Effect Transistors