參數(shù)資料
型號： MRF5S9101NR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 6/16頁
文件大小： 463K
代理商： MRF5S9101NR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
1020
10
18
860
45
70
60
17
50
16
40
15
30
14
0
13
12
15
11
30
880
900
920
940
960
980
1000
Gp
I
I
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 100 Watts CW
IRL
G
ps
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 700 mA
1020
10
19
860
24
50
45
17
35
16
30
15
14
8
13
12
16
11
20
880
900
920
940
960
980
1000
Gp
IRL
G
ps
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 700 mA
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 40 Watts CW
18
12
40
1000
14
19
1
I
DQ
= 1500 mA
1300 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Power Gain versus Output Power
Gp
V
DD
= 26 Vdc
f = 940 MHz
1100 mA
900 mA
700 mA
500 mA
300 mA
18
17
16
15
10
100
200
14
19
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 6. Power Gain versus Output Power
Gp
V
DD
= 12 V
16 V
24 V
28 V
32 V
18
17
16
15
20
40
60
80
100
120
140
160
180
20 V
η
D
,
I
I
η
D
,
η
D
η
D
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PDF描述
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