型號: | MRF654 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
中文描述: | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 105K |
代理商: | MRF654 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MRF658 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
MRF857D | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
MRF857S | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
MRF891 | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
MRF891S | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MRF658 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
MRF6P18190HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 1.8GHZ 44W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF6P18190HR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 1.8GHZ 44W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF6P21190HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 44W W/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF6P21190HR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 44W W/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |