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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S21140HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | N溝道增強型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | MRF6S21140HR3 |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3
Figure 2. MRF6S21140HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
C16
R2
V
GS
R1
C5
C4
C3
C1
R3
C19
C2
C10
V
DD
C12 C13
C17
C9
C8
C18
C6 C7
C14 C15
C11
C
MRF6S21140H
Rev 0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21140HSR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S23100H | RF Power Dield Effect Transistors |
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| MRF6S23100Hxx | RF Power Dield Effect Transistors |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRF6S21140HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 LDMOS 30W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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