參數(shù)資料
型號： MRF6S9060
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/16頁
文件大?。?/td> 533K
代理商： MRF6S9060
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1 MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
I
A
24
20
920
840
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 14 Watts Avg.
900
890
880
870
860
850
20.6
22
21.8
65
40
35
30
50
55
60
η
D
,
E
η
D
21.6
21.4
21.2
21
20.8
45
910
ALT1
16
12
8
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 14 W (Avg.), I
DQ
= 450 mA
NCDMA IS95 Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13
G
p
,
I
A
20
16
920
840
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 28 Watts Avg.
900
890
880
870
860
850
20
21.6
21.4
64
50
48
46
40
48
56
η
D
,
E
η
D
21.2
21
20.8
20.6
20.4
32
910
ALT1
12
8
4
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W (Avg.), I
DQ
= 450 mA
NCDMA IS95 Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
17
23
I
DQ
= 675 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
21
19
10
G
p
,
22
20
550 mA
450 mA
1
300
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
30
10
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
20
100
60
40
I
I
I
DQ
= 225 mA
350 mA
50
20.2
44
18
350 mA
225 mA
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
450 mA
550 mA
675 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060NR1 CAP CER .10UF 100V 20% AXIAL
MRF6S9125NR1_06 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9125 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF6S9060N 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MRF6S9060N - Bulk
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