參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6VP3450HR6
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 375D-05, NI-1230, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/18頁
文件大?。?/td> 1077K
代理商： MRF6VP3450HR6
MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 470--860 MHz
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
--8
--2
--6
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 22. Single--Carrier DVB--T OFDM Power Gain, Drain Efficiency
and IRL versus Frequency — 470--860 MHz
24
22
20
36
34
32
30
22
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
19
18
16
23
21
20
0
--4
17
860
470 500 530 560 590 620 650 680 710 740 770 800 830
28
26
24
VDD =50 Vdc,IDQ = 1400 mA
Pout = 90 W Avg., 8K Mode OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 23. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD =50 Vdc,Pout = 90 W Avg., and ηD = 28%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
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calculators by product.
107
106
104
110
130
150
170
190
MTTF
(H
OU
RS
)
210
230
108
105
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PDF描述
MRF6VP3450HSR6 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6VP41KHSR6 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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MRF7P20040HSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S15100HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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