參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S15100HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/13頁
文件大小： 234K
代理商： MRF7S15100HR3
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S15100HR3 MRF7S15100HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 51.63 dBm (146 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 600 mA, Pulsed CW
10
μsec(on), 10% Duty Cycle, f = 1500 MHz
51
49
47
37
Actual
Ideal
52
50
46
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
48
53
54
55
56
35
34
33
27
32
31
30
29
28
P1dB = 50.95 dBm (125 W)
Test Impedances per Compression Level
Zsource
Ω
Zload
Ω
P1dB
2.02 + j6.21
2.00 - j3.65
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7S16150HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S16150HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S18125BHR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S19080HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S19100NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
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參數(shù)描述
MRF7S15100HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S15100HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.5GHZ 28V 23W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S15100HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S15100HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S16150HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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