參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S19080HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/16頁(yè)
文件大?。?/td> 639K
代理商： MRF7S19080HSR3
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo = 10 Ω
Zin
f = 2070 MHz
Zload
f = 1950 MHz
f = 2070 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 750 mA
f
MHz
Zin
W
Zload
W
1950
1.87 - j6.10
2.98 - j5.42
1960
1.94 - j6.25
3.07 - j5.47
1970
1.77 - j6.04
2.87 - j5.26
1980
1.52 - j5.47
2.53 - j4.77
1990
1.46 - j4.92
2.35 - j4.26
2000
1.49 - j4.62
2.30 - j3.99
2010
1.53 - j4.64
2.34 - j3.98
2020
1.50 - j4.85
2.34 - j4.20
2030
1.50 - j5.15
2.40 - j4.44
2040
1.62 - j5.56
2.59 - j4.75
2050
1.63 - j5.90
2.68 - j5.03
2060
1.47 - j5.86
2.52 - j4.98
2070
1.38 - j5.40
2.35 - j4.54
Zin
= Device input impedance as measured from
gate to ground.
Zload = Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 23. Series Equivalent Input and Load Impedance — TD-SCDMA
Z in
Z load
Device
Under Test
Output
Matching
Network
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PDF描述
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