型號: | MRF7S19210HR3 |
廠商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封裝: | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
文件頁數: | 11/16頁 |
文件大?。?/td> | 505K |
代理商: | MRF7S19210HR3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MRF7S21080HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF7S21080HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF7S21110HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF7S21110HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF7S21170HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MRF7S19210HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF7S19210HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF7S19210HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF7S21080HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ 22W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF7S21080HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ 22W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |