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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8HP21080HSR5 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S-4, CASE 465H-02, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 528K |
| 代理商： | MRF8HP21080HSR5 |
MRF8HP21080HR3 MRF8HP21080HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8HP21080HSR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8HP21130HSR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8HP21130HSR5 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8P20140WHR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8P20140WHR5 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8HP21130HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8HP21130HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8HP21130HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 130W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8HP21130HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 130W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P18265HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 260W DOHERT NI1230-8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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