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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8HP21130HSR5 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S-4, CASE 465H-02, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 11/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 562K |
| 代理商： | MRF8HP21130HSR5 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8HP21130HR3 MRF8HP21130HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 6. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
--10
--20
6
18
0
60
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
16
14
10
100
150
10
--60
AC
PR
(d
Bc)
12
10
8
0
--30
--40
--50
2110 MHz
2170 MHz
2140 MHz
Figure 7. Broadband Frequency Response
0
18
f, FREQUENCY (MHz)
VDD =28 Vdc
Pin =0 dBm
IDQB = 360 mA
VGSA =0.4 Vdc
12
9
6
GAIN
(d
B)
15
3
1800 1875
1950
2025
2100
2175
2250
2325
2400
VDD =28 Vdc,IDQB = 360 mA, VGSA =0.4 Vdc
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.9 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
2110 MHz
2140 MHz 2170 MHz
W--CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 8. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PR
OBABIL
ITY
(%
)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5MHz Offset.
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
12
--60
--100
10
(dB
)
--20
--30
--40
--50
--70
--80
--90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
--1.8
--3.6
--5.4
--9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 9. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--7.2
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
--10
0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8P20140WHR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8P20140WHR5 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8P20140WHSR5 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8P20160HSR3 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8P20160HR3 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8P18265HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 260W DOHERT NI1230-8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P18265HR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 65V N-CH 1840MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P18265HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 260WDOHERTY NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P18265HSR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 65V N-CH 1840MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P20100HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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