參數資料
型號： MRF8P20160HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465H-02, 4 PIN
文件頁數： 13/17頁
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代理商： MRF8P20160HSR3
MRF8P20160HR3 MRF8P20160HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
4
λ
2
λ
2
λ
4
λ
2
λ
2
λ
Single--ended
Quadrature combined
Doherty
Push--pull
4
λ
4
λ
4
λ
4
λ
Figure 3.
Possible Circuit Topologies
相關PDF資料
PDF描述
MRF8P20160HR3 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20161HSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20165WHSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20165WHR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20165WHR5 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
MRF8P20160HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 160W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P20161HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 161W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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MRF8P20165WHR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P20165WHR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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