參數(shù)資料
型號(hào)： MSC81111
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF & Microwave Transistors General Purpose Amplifier Applications(用于通用放大器的RF和微波晶體管)
中文描述： 射頻
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 100K
代理商： MSC81111
October 1992
GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
.
EMITTER BALLASTED
.
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
.
VSWR CAPABILITY
∞
:1 @ RATED
CONDITIONS
.
HERMETIC STRIPAC
PACKAGE
.
P
OUT
=
5.0 W MIN. WITH 10 dB GAIN @
1 GHz
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
.250 2LFL (S010)
hermetically sealed
DESCRIPTION
The MSC81111 is a common base hermetically
sealed silicon NPN microwave transistor utilizing
a fishbone emitter ballasted geometry with a re-
fractory/gold metallization system. This device is
capable of withstanding an infinite load VSWR at
any phase angle under rated rated conditions. The
MSC81111 is designed for Class C amplifier ap-
plications in the 0.4 - 1.2 GHz frequency range.
PIN CONNECTION
BRANDING
81111
ORDER CODE
MSC81111
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
=
25
°
C)
Symbol
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
STG
Parameter
(T
C
≤
50
°
C)
Value
18.75
600
35
Unit
W
mA
V
°
C
°
C
Power Dissipation*
Device Current*
Collector-Supply Voltage*
Junction Temperature
Storage Temperature
200
65 to +200
R
TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance*
8.0
°
C/W
*Appliesonlyto ratedRF amplifier operation
MSC81111
1. Collector
2. Base
3. Emitter
4. Base
THERMAL DATA
1/5
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PDF描述
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MSC8112TVT2400V 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Dual Core Digital Signal Processor
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