參數(shù)資料
型號(hào)： MSC8144TVT1000A
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 24/80頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC DSP QUAD 1GHZ 783FCPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： StarCore
類(lèi)型： SC3400 內(nèi)核
接口： 以太網(wǎng)，I²C，SPI，TDM，UART，UTOPIA
時(shí)鐘速率： 1.0GHz
非易失內(nèi)存： 外部
芯片上RAM： 10.5MB
電壓 - 輸入/輸出： 3.30V
電壓 - 核心： 1.00V
工作溫度： -40°C ~ 105°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 783-BBGA，F(xiàn)CBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 783-FCPBGA（29x29）
包裝： 托盤(pán)
MSC8144 Quad Core Digital Signal Processor Data Sheet, Rev. 16
Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
30
2.5.1.2
DDR (2.5V) SDRAM DC Electrical Characteristics
Table 7 provides the recommended operating conditions for the DDR SDRAM component(s) of the MSC8144 when
VDDDDR(typ) = 2.5 V.
Table 8 lists the current draw characteristics for MVREF.
Table 7. DDR SDRAM DC Electrical Characteristics for VDDDDR (typ) = 2.5 V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
I/O supply voltage1
VDDDDR
2.3
2.7
V
I/O reference voltage2
MVREF
0.49
× VDDDDR
0.51
× VDDDDR
V
I/O termination voltage3
VTT
MVREF – 0.04
MVREF + 0.04
V
Input high voltage
VIH
MVREF + 0.15
VDDDDR + 0.3
V
Input low voltage
VIL
–0.3
MVREF – 0.15
V
Output leakage current4
IOZ
–50
50
μA
Output high current (VOUT = 1.95 V)
IOH
–16.2
—
mA
Output low current (VOUT = 0.35 V)
IOL
16.2
—
mA
Notes:
1.
VDDDDR is expected to be within 50 mV of the DRAM VDD at all times.
2.
MVREF is expected to be equal to 0.5 × VDDDDR, and to track VDDDDR DC variations as measured at the receiver.
Peak-to-peak noise on MVREF may not exceed ±2% of the DC value.
3.
VTT is not applied directly to the device. It is the supply to which far end signal termination is made and is expected to be
equal to MVREF. This rail should track variations in the DC level of VDDDDR.
4.
Output leakage is measured with all outputs are disabled, 0 V
≤ V
OUT
≤ V
DDDDR.
Table 8. Current Draw Characteristics for MVREF
Parameter / Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Current draw for MVREF
IMVREF
—
500
μA
Note:
The voltage regulator for MVREF must be able to supply up to 500 μA current.
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PDF描述
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