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參數(shù)資料
| 型號： | MSD1819A-RT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | General Purpose Amplifier Transistor(通用放大器晶體管) |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | MSD1819A-RT1 |
MSD1819ART1
http://onsemi.com
3
Figure 5. On Voltage
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
C
900
0.2
800
700
600
500
400
300
200
100
0.5
1
5
10
20
40
60
80
100
150
200
T
A
= 25
°
C
V
CE
= 5 V
0
Figure 6. Capacitance
V
EB
(V)
20
0
18
16
14
12
10
1
2
3
4
C
V
CB
(V)
Figure 7. Capacitance
7
0
6
5
4
3
2
1
10
20
30
40
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSD7B-18P-2.54DSA | IBM AT-AT NULL MODEM CABL50 FT FF |
| MSG145 | 1 Amp Schottky Rectifier |
| MSG140 | 1 Amp Schottky Rectifier |
| MSG150 | 1 Amp Schottky Rectifier |
| MSL245 | 2 Amp Schottky |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSD1819A-RT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Transistor |
| MSD1819A-RT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD1819A-ST1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MSD-1G | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:1G MICRO SDCARD |
| MSD-1G-NP | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:1G MICRO SDCARD |
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