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參數(shù)資料
| 型號： | MSM5117400D |
| 廠商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 4,194,304-Word 】 4-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE |
| 中文描述： | 4194304詞】4位動態(tài)隨機存儲器：快速頁面模式型 |
| 文件頁數(shù)： | 6/14頁 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | MSM5117400D |
MSM5117400D
6/14
AC Characteristic (1/2)
(V
CC
= 5V ± 10%, Ta = 0°C to 70°C) Note1,2,3
MSM5117400
D-50
MSM5117400
D-60
MSM5117400
D-70
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Note
Random Read or Write Cycle Time
t
RC
t
RWC
t
PC
90
110
130
ns
Read Modify Write Cycle Time
131
155
185
ns
Fast Page Mode Cycle Time
35
40
45
ns
Fast Page Mode Read Modify
Write Cycle Time
t
PRWC
76
85
100
ns
Access Time from RAS
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CPA
t
OEA
50
60
70
ns
4,5,6
Access Time from CAS
13
15
20
ns
4,5
Access Time from Column Address
25
30
35
ns
4,6
Access Time from CAS Precharge
30
35
40
ns
4
Access Time from OE
13
15
20
ns
4
Output Low Impedance Time from
CAS
t
CLZ
0
0
0
ns
4
CAS to Data Output Buffer Turn-
off Delay Time
t
OFF
0
13
0
15
0
20
ns
7
OE to Data Output Buffer Turn-off
Delay Time
t
OEZ
0
13
0
15
0
20
ns
7
Transition Time
t
T
3
50
3
50
3
50
ns
3
Refresh Period
t
REF
t
RP
t
RAS
t
RASP
t
RSH
t
ROH
32
32
32
m
RAS Precharge Time
30
40
50
ns
RAS Pulse Width
50
10,000
60
10,000
70
10,000
ns
RAS Pulse Width (Fast Page Mode)
50
100,000
60
100,000
70
100,000
ns
RAS Hold Time
13
15
20
ns
RAS Hold Time referenced to OE
13
15
20
ns
CAS Precharge Time
(Fast Page Mode)
t
CP
7
10
10
ns
CAS Pulse Width
t
CAS
t
CSH
t
CRP
t
RHCP
t
RCD
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
13
10,000
15
10,000
20
10,000
ns
CAS Hold Time
50
60
70
ns
CAS to RAS Precharge Time
5
5
5
ns
RAS Hold Time from CAS Precharge
30
35
40
ns
RAS to CAS Delay Time
17
37
20
45
20
50
ns
5
RAS to Column Address Delay Time
12
25
15
30
15
35
ns
Row Address Set-up Time
0
0
0
ns
Row Address Hold Time
7
10
10
ns
Column Address Set-up Time
0
0
0
ns
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