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參數(shù)資料
| 型號： | MT28C128564W18EFW-F606P856KTBWT |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| 封裝： | FBGA-77 |
| 文件頁數(shù)： | 13/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 203K |
| 代理商： | MT28C128564W18EFW-F606P856KTBWT |
128Mb MULTIBANK BURST FLASH
32Mb/64Mb BURST CellularRAM COMBO
09005aef80df9a45
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT28C128564W18E.fm - Rev. C Pub 2/04 EN
7
2004 Micron Technology. Inc.
Figure 3: Block Diagram
C_OE#
C_CRE
C_CE#
C_WE#
DQ0–DQ15
A0–A21
F_WE#
F_WP#
WAIT#
FLASH #2
CellularRAM
F_RST#
C_UB#
C_LB#
4,096K x 16
2,048K x 16
4,096K x 16
Bank 31
Bank 16
C_VCC
F_OE2#
F_CE2#
ADV#
C_VSS
FLASH #1
4,096K x 16
Bank 15
Bank 0
VCCQ
VSSQ
F_VCC
F_VSS
F_VPP
CLK
F_OE1#
F_CE1#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT28C128564W18EFW-F606P856TBWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| MT28C128564W18EFW-F705P706KBBWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| MT28C256564W18SBT-F605P85BBWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88 |
| MT28C256564W18SBT-F705P70BTWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88 |
| MT28C256564W18SFT-F606P85TTWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT28C3212P2FL | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:FLASH AND SRAM COMBO MEMORY |
| MT28C3212P2NFL | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:FLASH AND SRAM COMBO MEMORY |
| MT28C3214P2FL | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:FLASH AND SRAM COMBO MEMORY |
| MT28C3214P2FL-10 BET | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT28C3214P2FL-10 BET TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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