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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LC1M16E5 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | EDO DRAM |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 12/24頁 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MT4LC1M16E5 |
12
1 Meg x 16 EDO DRAM
D52_B.p65 – Rev. B; Pub. 3/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc
16Mb: 1 MEG x16
EDO DRAM
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
AA
t
ACH
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CLCH
t
CLZ
t
CRP
t
CSH
t
OD
MIN
MAX
25
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
38
0
0
15
45
0
0
13
15
8
8
5
0
5
38
0
10
10
5
0
5
45
0
10,000
10,000
12
15
READ CYCLE
NOTE:
1.
t
OFF is referenced from rising edge of RAS# or CAS#, whichever occurs last.
tRRH
tCLZ
tCAC
tRAC
tAA
VALID DATA
OPEN
tOFF
tRCH
ROW
tRCS
tASC
tRAH
tRAD
tAR
tCAH
tACH
tRCD
tCAS
tRSH
tCSH
tRP
tRC
tRAS
tCRP
tASR
ROW
OPEN
RAS#
V
IL
V
IL
ADDR
V
IL
DQ
V
OL
V
IL
tOD
tOE
OE#
V
IL
COLUMN
WE#
CASL#/CASH#
tCLCH
NOTE 1
DON’T CARE
UNDEFINED
t
OE
t
OFF
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RCH
t
RCS
t
RP
t
RRH
t
RSH
12
12
50
15
15
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
0
9
9
50
84
11
0
0
30
0
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12
10
60
104
14
0
0
40
0
15
10,000
10,000
-5
-6
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準(zhǔn)或低功率，擴(kuò)展刷新，256K x 4動態(tài)RAM) |
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準(zhǔn)或低功率，擴(kuò)展刷新，256K x 4動態(tài)RAM) |
| MT4LC16M4T8TG-5 | DRAM |
| MT4LC16M4T8TG-5S | DRAM |
| MT4LC16M4T8TG-6 | DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LC1M16E5DJ-5 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-5S | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5TG-5 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
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