參數(shù)資料
型號: MT4LC1M16E5
廠商: Micron Technology, Inc.
英文描述: EDO DRAM
中文描述: EDO公司的DRAM
文件頁數(shù): 16/24頁
文件大?。?/td> 385K
代理商: MT4LC1M16E5
16
1 Meg x 16 EDO DRAM
D52_B.p65 – Rev. B; Pub. 3/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc
16Mb: 1 MEG x16
EDO DRAM
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
ACH
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAH
t
CAS
t
CLCH
t
CP
t
CRP
t
CSH
t
CWL
t
DH
t
DS
MIN
12
38
0
0
8
8
5
8
5
38
8
8
0
MAX
MIN
15
45
0
0
10
10
5
10
5
45
10
10
0
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10,000
10,000
EDO-PAGE-MODE EARLY WRITE CYCLE
tDS
tDH
tDS
tDH
tDS
tDH
tWCR
VALID DATA
VALID DATA
VALID DATA
tRWL
tWP
tCWL
tWCH
tWCS
tWP
tCWL
tWCH
tWCS
tWP
tCWL
tWCH
tWCS
tCAH
tASC
tCAH
tASC
tCAH
tASC
tRAH
tASR
tRAD
tAR
COLUMN
COLUMN
COLUMN
ROW
ROW
tCP
tRSH
tCAS, CLCH
tCP
tCP
tCAS, CLCH
tRCD
tCRP
tPC
tCSH
tRASP
tRP
V
IL
CASL#/CASH#
V
IL
ADDR
V
IL
WE#
V
IL
DQ
V
IOL
RAS#
OE#
V
IL
DON’T CARE
UNDEFINED
tACH
tACH
tACH
tCAS, CLCH
-5
-6
SYMBOL
t
PC
t
RAD
t
RAH
t
RASP
t
RCD
t
RP
t
RSH
t
RWL
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WP
MIN
20
9
9
50
11
30
13
13
8
38
0
5
MAX
MIN
25
12
10
60
14
40
15
15
10
45
0
5
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
125,000
125,000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT4C4256 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準(zhǔn)或低功率,擴(kuò)展刷新,256K x 4動態(tài)RAM)
MT4C4256L 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準(zhǔn)或低功率,擴(kuò)展刷新,256K x 4動態(tài)RAM)
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