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參數(shù)資料
| 型號： | MTB60N06HDT4 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | MTB60N06HDT4 |
MTB60N06HD
11
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 418B–02
ISSUE B
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SEATING
PLANE
B
S
G
D
–T–
M
0.13 (0.005)
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.340
0.380
8.64
9.65
B
0.380
0.405
9.65
10.29
C
0.160
0.190
4.06
4.83
D
0.020
0.035
0.51
0.89
E
0.045
0.055
1.14
1.40
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.080
0.110
2.03
2.79
J
0.018
0.025
0.46
0.64
K
0.090
0.110
2.29
2.79
S
0.575
0.625
14.60
15.88
V
0.045
0.055
1.14
1.40
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTB60N06HD | 60 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB60N06HDT4 | 60 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB75N03HDL | 75 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB75N03HDLT4 | 75 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB75N06HDT4 | 75 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTB60N06J3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| MTB60N10E7L | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MTB60N10E7LT4 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MTB60P06H8 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET |
| MTB6N60 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS |
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