參數(shù)資料
型號(hào)： MTD2N50E
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 2 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大?。?/td> 147K
代理商： MTD2N50E
MTD2N50E
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
t, TIME (s)
1.0E05
1.0E04
1.0E02
0.1
1.0
0.01
1.0E03
1.0E01
1.0E+00
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAINT
OSOURCE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1.0
1000
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
10
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
0.01
0
25
50
75
100
125
100
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
80
100
40
20
ID = 2 A
60
1.0
0.1
10
150
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
RθJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
D = 0.5
1.0E+01
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
100 s
10 s
1ms
10ms
dc
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PDF描述
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