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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MTW7N80E |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM |
| 中文描述： | 7 A, 800 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 220K |
| 代理商： | MTW7N80E |
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 340K–01
ISSUE O
STYLE 1:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
NOTES:
1.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2.
CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
R
P
A
K
V
F
D
G
U
L
E
0.25 (0.010)
M
T B
M
0.25 (0.010)
M
Y Q
S
J
H
C
4
1
2
3
–T–
–B–
–Y–
–Q–
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
P
Q
R
U
V
MIN
19.7
15.3
4.7
1.0
1.27 REF
2.0
5.5 BSC
2.2
0.4
14.2
5.5 NOM
3.7
3.55
5.0 NOM
5.5 BSC
3.0
MAX
20.3
15.9
5.3
1.4
MIN
0.776
0.602
0.185
0.039
0.050 REF
0.079
0.216 BSC
0.087
0.016
0.559
0.217 NOM
0.146
0.140
0.197 NOM
0.217 BSC
0.118
MAX
0.799
0.626
0.209
0.055
INCHES
MILLIMETERS
2.4
0.094
2.6
0.8
14.8
0.102
0.031
0.583
4.3
3.65
0.169
0.144
3.4
0.134
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTY16N80E | TMOS POWER FET 16 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 0.50 OHM |
| MUR10015CT | Tools, Tips Soldering; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes |
| N74F11D | Triple 3-input NAND gate; Triple 3-input AND gate |
| N74F11N | Triple 3-input NAND gate; Triple 3-input AND gate |
| N74F153D | Dual 4-line to 1-line multiplexer |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTW8N50E | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MTW8N60E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHM |
| MTW8N60E/D | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHM |
| MTWB 1552 | 制造商:Signal Construct GmbH 功能描述: |
| MTWB 1562 | 制造商:Signal Construct GmbH 功能描述: |
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