參數(shù)資料
型號: MUN2111T3
英文描述: TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59
中文描述: 晶體管| 50V五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|律師- 59
文件頁數(shù): 2/10頁
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代理商: MUN2111T3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN21xxT1 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN21xxRT1 Bias Resistor Transistor
MUN5312DW1T3 TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363
MUNICH128X Protocol Controller
MUR1605CTR COMMON ANODE DIODE ARRAY|TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MUN2111T3G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2112 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN2112RT1 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Bias Resistor Transistor
MUN2112T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2112T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel