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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN2237T1 |
| 廠商： | 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistor |
| 中文描述： | 偏置電阻晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 160K |
| 代理商： | MUN2237T1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
MUN2211T1 Series–4/11
MUN2211T1 Series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
(Note 5) (Continued)
Output Voltage (off) (V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V, R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V, R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V, R
L
= 1.0 k
)
MUN2230T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2233T1
MUN2240T1
V
OH
4.9
–
–
Vdc
Input Resistor
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2235T1
MUN2236T1
MUN2237T1
MUN2240T1
MUN2241T1
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
70
32.9
70
32.9
70
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
100
47
100
47
100
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
130
61.1
130
61.1
100
k
Resistor Ratio
MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1/
MUN2236T1
MUN2214T1
MUN2215T1/MUN2216T1/MUN2240T1/
MUN2241T1
MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
MUN2237T1
R
1
/R
2
0.8
0.17
–
0.8
0.055
0.38
1.7
1.0
0.21
–
1.0
0.1
0.47
2.1
1.2
0.25
–
1.2
0.185
0.56
2.6
5. Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%
Figure 1. Derating Curve
350
200
150
100
50
0
–50
0
50
100
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
R
θ
JA
= 370
°
C/W
250
P
D
,
300
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MUN2237T1G | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2238 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = k |
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| MUN2240T1 | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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