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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX0912B251Y |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 雙極晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 封裝： | MX0912B251Y<SOT439A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT439A.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | MX0912B251Y |
1997 Feb 19
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
MX0912B251Y
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Up to 0.2 mm from ceramic.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current
total power dissipation
(peak power)
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 0
open base
open collector
t
p
≤
10
μ
s;
δ ≤
10%
T
mb
= 75
°
C; t
p
≤
10
μ
s;
δ ≤
10%
65
60
20
3
15
690
V
V
V
V
A
W
T
stg
T
j
T
sld
65
+200
200
235
°
C
°
C
°
C
t
≤
10 s; note 1
Fig.2
Maximum power dissipation derating as a
function of mounting base temperature.
t
p
= 10
μ
s;
δ
= 10%; P
tot max
= 690 W.
handbook, halfpage
Ptot
(W)
50
200
0
200
400
600
800
0
100
Tmb (
°
C)
MGL041
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX0912B251Y | NPN microwave power transistor |
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| MX0912B351Y | NPN microwave power transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX0912B251Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B251Y,114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B351Y | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B351Y,114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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