參數(shù)資料
型號： MX0912B351Y
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
封裝： MX0912B351Y<SOT439A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT439A.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 76K
代理商： MX0912B351Y
1997 Feb 19
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
MX0912B351Y
Fig.3
Load power as a function of frequency.
(In broadband test circuit as shown in Fig.6)
V
CC
= 50 V; t
p
= 10
μ
s;
δ
= 10%.
handbook, halfpage
0.95
1.05
1.15
1.25
f (GHz)
PL
(W)
350
400
MGL056
Fig.4
Collector efficiency as a function of
frequency. (In broadband test circuit as
shown in Fig.6)
handbook, halfpage
0.95
1.05
1.15
1.25
f (GHz)
η
C
(%)
40
45
MGL055
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PDF描述
MX0912B351Y NPN microwave power transistor
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參數(shù)描述
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