參數(shù)資料
型號： MX0912B351Y
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
封裝： MX0912B351Y<SOT439A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT439A.html<1<Always Pb-free,;
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代理商： MX0912B351Y
1997 Feb 19
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
MX0912B351Y
Fig.6 Broadband test circuit.
Dimensions in mm.
Substrate: Epsilam 10.
Thickness: 0.635 mm.
Permittivity:
ε
r
= 10.
handbook, full pagewidth
MLC085
30
30
40
15
2
5
3
5
24
7
11
0.635
40
1.55.5
5
3.5
7.5
3.5 1
2.5
3.2
5
0.7
21.5
4.5
handbook, full pagewidth
MLC086
C2
L2
C3
VCC
L1
C1
C5
C6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX0912B351Y NPN microwave power transistor
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MZ0912B100Y NPN microwave power transistors
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參數(shù)描述
MX0912B351Y TRAY 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MX0912B351Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MX0912B351Y114 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor
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