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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GR3B3BV1T |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 37/59頁 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND01GR3B3BV1T |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
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Table 23. DC Characteristics, 3V Devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-
10
20
mA
IDD2
Program
-
10
20
mA
IDD3
Erase
-
10
20
mA
IDD4
Standby current (TTL)
E=VIH, WP=0/VDD
1
mA
IDD5
Standby Current (CMOS)
E=VDD-0.2,
WP=0/VDD
-
10
50
A
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
2.0
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.8
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -100A
2.4
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 100A
-
0.4
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.4V
8
10
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
2.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR3B3CV6 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3B2AN6F | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND08GW3B2CZC1 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GR3B3CZA1 | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND02GR4B2BZB1 | 128M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR3M0AZB5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR3M0AZB5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR3M0AZC5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR3M0AZC5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR3M0BZB5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
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