參數(shù)資料
型號： NAND08GW4B2BZB6
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
文件頁數(shù)： 38/59頁
文件大?。?/td> 1154K
代理商： NAND08GW4B2BZB6
43/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Table 24. AC Characteristics for Command, Address, Data Input
Note: 1. If tELWL is less than 10ns, tWLWH must be minimum 35ns, otherwise, tWLWH may be minimum 25ns.
Symbol
Alt.
Symbol
Parameter
1.8V
Devices
3V
Devices
Unit
tALLWL
tALS
Address Latch Low to Write Enable Low
AL Setup time
Min
0
ns
tALHWL
Address Latch High to Write Enable Low
tCLHWL
tCLS
Command Latch High to Write Enable Low
CL Setup time
Min
0
ns
tCLLWL
Command Latch Low to Write Enable Low
tDVWH
tDS
Data Valid to Write Enable High
Data Setup time
Min
20
ns
tELWL
tCS
Chip Enable Low to Write Enable Low
E Setup time
Min
0
ns
tWHALH
tALH
Write Enable High to Address Latch High
AL Hold time
Min
10
ns
tWHCLH
tCLH
Write Enable High to Command Latch High
CL hold time
Min
10
ns
tWHCLL
Write Enable High to Command Latch Low
tWHDX
tDH
Write Enable High to Data Transition
Data Hold time
Min
10
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
E Hold time
Min
10
ns
tWHWL
tWH
Write Enable High to Write Enable Low
W High Hold
time
Min
20
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
W Pulse Width
Min
25(1)
ns
tWLWL
tWC
Write Enable Low to Write Enable Low
Write Cycle time
Min
60
50
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND01GR3B2CN6F 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48
NAND01GR3B3BV1T 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GR3B3CV6 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW3B2AN6F 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
NAND08GW3B2CZC1 1G X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND128W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0AN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0BN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0BN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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