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參數資料
| 型號： | NCV33074ADTBR2G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數： | 20/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC OP AMP SGL SUPP BIPO 14-TSSOP |
| 標準包裝： | 2,500 |
| 放大器類型： | 通用 |
| 電路數： | 4 |
| 轉換速率： | 13 V/µs |
| 增益帶寬積： | 4.5MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 100nA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 500µV |
| 電流 - 電源： | 1.9mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 30mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 3 V ~ 44 V，±1.5 V ~ 22 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 14-TSSOP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | NCV33074ADTBR2G-ND NCV33074ADTBR2GOSTR |
MC34071,2,4,A MC33071,2,4,A, NCV33072,4,A
http://onsemi.com
3
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Supply Voltage (from VEE to VCC)
VS
+44
V
Input Differential Voltage Range
VIDR
(Note 1)
V
Input Voltage Range
VIR
(Note 1)
V
Output Short Circuit Duration (Note 2)
tSC
Indefinite
Sec
Operating Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature Range
Tstg
60 to +150
°C
ESD Capability, Dual and Quad (Note 3)
Human Body Model
Machine Model
ESDHBM
ESDMM
2000
200
V
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.
1. Either or both input voltages should not exceed the magnitude of VCC or VEE.
2. Power dissipation must be considered to ensure maximum junction temperature (TJ) is not exceeded (see Figure 2).
3. This device series incorporates ESD protection and is tested by the following methods:
ESD Human Body Model tested per AECQ100002 (JEDEC standard: JESD22A114)
ESD Machine Model tested per AECQ100003 (JEDEC standard: JESD22A115)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4SMA16CAHE3/5A | TVS 400W 16V 5% BIDIR SMA |
| P4SMA15CAHE3/5A | TVS 400W 15V 5% BIDIR SMA |
| CA3140AMZ | IC OPAMP BIMOS 4.5MHZ 8SOIC |
| P4SMA150CAHE3/5A | TVS 300W 150V 5% BIDIR SMA |
| CA3140AEZ | IC OPAMP BIMOS 4.5MHZ 8DIP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NCV33074DR2G | 功能描述:運算放大器 - 運放 ANA HI SPD/SS QUAD OA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉換速度:0.89 V/us 關閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel |
| NCV33079DR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NCV33152 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:AC-DC Offline Switching Controllers/Regulators |
| NCV33152DR2 | 功能描述:功率驅動器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| NCV33152DR2G | 功能描述:功率驅動器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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