參數(shù)資料
型號: NE5517DG
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 11/15頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC
標準包裝: 48
放大器類型: 跨導(dǎo)
電路數(shù): 2
輸出類型: 推挽式
轉(zhuǎn)換速率: 50 V/µs
增益帶寬積: 2MHz
電流 - 輸入偏壓: 400nA
電壓 - 輸入偏移: 400µV
電流 - 電源: 2.6mA
電流 - 輸出 / 通道: 650µA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V
工作溫度: 0°C ~ 70°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 16-SOIC
包裝: 管件
產(chǎn)品目錄頁面: 1131 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: NE5517DG-ND
NE5517DGOS
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
5
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
VOUT
VCMR
VOUT
μ
10
1
PEAK
OUTPUT
CURRENT
(
A)
0.1mA1mA10mA
100mA 1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
+125°C
4
3
2
+25°C
-55°C
10
4
3
2
5
-50°C -25°C0°C25°C50°C75°C100°C125°C
0V
(+)VIN = ()VIN = VOUT = 36V
LEAKAGE
CURRENT
(pA)
AMBIENT TEMPERATURE (TA)
μ
10
TRANSCONDUCT
ANCE
(gM)
(
ohm)
4
3
2
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
+125°C
+25°C
-55°C
5
gM
mq
m
M
PINS 2, 15
OPEN
10
1
0.1
0.01
INPUT
RESIST
ANCE
(MEG
)
1
2
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
PINS 2, 15
OPEN
10
1
INPUT
LEAKAGE
CURRENT
(pA)
3
2
4
INPUT DIFFERENTIAL VOLTAGE
+125°C
+25°C
0
1
23
45
6
7
5
INPUT
OFFSET
VOL
TAGE
(mV)
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
Figure 3. Input Offset Voltage
VS = ±15V
+125°C
+25°C
-55°C
+125°C
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
5
PEAK
OUTPUT
VOL
TAGE
AND
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
Tamb = 25°C
VCMR
RLOAD =
COMMON-MODE
RANGE
(V)
10
1
0.1
INPUT
OFFSET
CURRENT
(nA)
2
3
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
Figure 4. Input Bias Current
VS = ±15V
+125°C
+25°C
-55°C
10
1
INPUT
BIAS
CURRENT
(nA)
3
4
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
Figure 5. Input Bias Current
VS = ±15V
+125°C
+25°C
-55°C
2
Figure 6. Peak Output Current
Figure 7. Peak Output Voltage and
Common-Mode Range
Figure 8. Leakage Current
Figure 9. Input Leakage
Figure 10. Transconductance
Figure 11. Input Resistance
Ω
VS = ±15V
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PDF描述
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TPH-250 FUSE TELPOWER 250A 170V PWR DIST
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參數(shù)描述
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NE5517DR2G 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
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NE5517NG 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube