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參數(shù)資料
| 型號： | NS7520B-1-C36 |
| 廠商： | Digi International |
| 文件頁數(shù)： | 6/68頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC ARM MICROPROCESSOR 177BGA |
| 標準包裝： | 160 |
| 系列： | NET+ARM® |
| 應(yīng)用： | 網(wǎng)絡(luò)處理器 |
| 核心處理器： | ARM7 |
| 程序存儲器類型： | 外部程序存儲器 |
| RAM 容量： | 外部 |
| 接口： | EBI/EMI，以太網(wǎng)，DMA，SPI，UART |
| 輸入/輸出數(shù)： | 16 |
| 電源電壓： | 1.4 V ~ 3.6 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 177-LFBGA |
| 包裝： | 托盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 177-BGA（13x13） |
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C h i p selec t co ntro ller
10
NS 75 20 Da ta shee t
03 /2 00 6
Chip select controller
The NS7520 supports five unique chip select configurations.
Chip select controller signal descriptions
Symbol
Pin
I/O
OD
Description
CS4_
B4
O
4
Chip select/DRAM RAS_
CS3_
A4
O
4
Chip select/DRAM RAS_
CS2_
C5
O
4
Chip select/DRAM RAS_
CS1_
B5
O
4
Chip select/DRAM RAS_
CS0_
D5
O
4
Chip select (boot select)
CAS3_
A1
O
4
FP/EDO DRAM column strobe D31:D24/SDRAM RAS_
CAS2_
C4
O
4
FP/EDO DRAM column strobe D23:D16/SDRAM CAS_
CAS1_
B3
O
4
FP/EDO DRAM column strobe D15:D08/SDRAM WE_
CAS0_
A2
O
4
FP/EDO DRAM column strobe D07:D00/SDRAM A10(AP)
WE_
C6
O
4
Write enable for NCC Ctrl’d cycles
OE_
B6
O
4
Output enable for NCC Ctrl’d cycles
Mnemonic
Signal
Description
CS0_
CS1_
CS2_
CS3_
CS4_
Chip select 0
Chip select 1
Chip select 2
Chip select 3
Chip select 4
Unique chip select outputs supported by the NS7520. Each chip select
can be configured to decode a portion of the available address space
and can address a maximum of 256 Mbytes of address space. The
chip selects are configured using registers in the memory module.
A chip select signal is driven low to indicate the end of the current
memory cycle. For FP/EDO DRAM, these signals provide the RAS
signal.
CAS0_
CAS1_
CAS2_
CAS3_
Column address
strobe signals
Activated when an address is decoded by a chip select module
configured for DRAM mode. The CAS_ signals are active low and
provide the column address strobe function for DRAM devices.
The CAS_ signals also identify which 8-bit bytes of the 32-bit data bus
are active during any given system bus memory cycle.
For SDRAM, CAS[3:1]_ provides the SDRAM command field. CAS0_
provides the auto-precharge signal.
For non-DRAM settings, these signals are 1.
WE_
Write enable
Active low signal that indicates that a memory write cycle is in
progress. This signal is activated only during write cycles to
peripherals controlled by one of the chip selects in the memory
module.
OE_
Output enable
Active low signal that indicates that a memory read cycle is in
progress. This signal is activated only during read cycles from
peripherals controlled by one of the chip selects in the memory
module.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FT24C32A-USR-T | IC EEPROM 32KBIT 1MHZ 8SOP |
| 395-024-542-804 | CARD EDGE 24POS DL .100X.200 BLK |
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| 395-024-542-802 | CARD EDGE 24POS DL .100X.200 BLK |
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參數(shù)描述 |
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| NS752AL | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:PLATE, 1GANG,W/2 F-CONNECTORS,AL |
| NS752I | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:PLATE, 1GANG,W/2 F-CONNECTORS,EI |
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