- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361137 > NSBC114EDXV6T1 (ON SEMICONDUCTOR) Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NSBC114EDXV6T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | NSBC114EDXV6T1 |
NSBC114EDXV6T1, NSBC114EDXV6T5
http://onsemi.com
2
DEVICE MARKING, ORDERING, AND RESISTOR VALUES
Device
Package
*
Marking
R1 (k )
R2 (k )
NSBC114EDXV6T1
SOT563
7A
10
10
NSBC124EDXV6T1
SOT563
7B
22
22
NSBC144EDXV6T1
SOT563
7C
47
47
NSBC114YDXV6T1
SOT563
7D
10
47
NSBC114TDXV6T1 (Note 2)
SOT563
7E
10
∞
NSBC143TDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
7F
4.7
∞
NSBC113EDXV6T1 (Note 2)
SOT563
7G
1.0
1.0
NSBC123EDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
7H
2.2
2.2
NSBC143EDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
7J
4.7
4.7
NSBC143ZDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
7K
4.7
47
NSBC124XDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
7L
22
47
NSBC123JDXV6T1 (Note 2)
SOT563
7M
2.2
47
NSBC115EDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
7N
100
100
NSBC144WDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
7P
47
22
The “G’’ suffix indicates PbFree package available.
*This package is inherently PbFree.
2. New resistor combinations. Updated curves to follow in subsequent data sheets.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current (V
CB
= 50 V, I
E
= 0)
I
CBO
100
nAdc
Collector-Emitter Cutoff Current (V
CE
= 50 V, I
B
= 0)
I
CEO
500
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 V, I
C
= 0)
NSBC114EDXV6T1
NSBC124EDXV6T1
NSBC144EDXV6T1
NSBC114YDXV6T1
NSBC114TDXV6T1
NSBC143TDXV6T1
NSBC113EDXV6T1
NSBC123EDXV6T1
NSBC143EDXV6T1
NSBC143ZDXV6T1
NSBC124XDXV6T1
NSBC123JDXV6T1
NSBC115EDXV6T1
NSBC144WDXV6T1
I
EBO
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
mAdc
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
= 10 A, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 3) (I
C
= 2.0 mA, I
B
= 0)
3. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%
V
(BR)CEO
50
Vdc
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSBC114EDXV6T5 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC114YDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC143TDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSH03A09 | Schottky Barrier Diode |
| NSH03A10 | Schottky Barrier Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NSBC114EDXV6T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBC114EDXV6T5 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBC114EDXV6T5G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBC114EF3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k |
| NSBC114EF3T5G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SOT-1123 NBRT TRNSTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。
