參數(shù)資料
型號: NSBC114EDXV6T5
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
中文描述: 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大?。?/td> 81K
代理商: NSBC114EDXV6T5
NSBC114EDXV6T1, NSBC114EDXV6T5
http://onsemi.com
4
Figure 1. Derating Curve
300
200
150
100
50
050
0
50
100
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
R
JA
= 833
°
C/W
250
P
D
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NSBC114YDXV6T1 Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
NSBC143TDXV6T1 Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
NSH03A09 Schottky Barrier Diode
NSH03A10 Schottky Barrier Diode
NSL-32AA OPTOCOUPLER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NSBC114EDXV6T5G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114EF3 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k
NSBC114EF3T5G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SOT-1123 NBRT TRNSTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114EPDP6T5G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SOT-963 COMP NBRT RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114EPDXV6/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor